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合并PIN肖特基結構可帶來更高的穩健性和效率

基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布推出650?V碳化硅(SiC)肖特基二極管，主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應用。10 A、650 V SiC肖特基二極管滿足工業級器件標準，可應對高電壓和高電流應用帶來的挑戰，包括開關模式電源、AC-DC和DC-DC轉換器、電池充電基礎設施、不間斷電源和光伏逆變器，并提高持續運行性能。例如，相比僅使用硅基解決方案的數據中心，配備采用Nexperia PSC1065K SiC肖特基二極管設計電源的數據中心將更加符合嚴格的能源效率標準。

PSC1065K具備不受溫度影響的電容開關和零恢復性能，提供先進的性能以及出色的品質因數(Q_Cx V_F)。其突出的開關性能幾乎不受電流和開關速度變化的影響。PSC1065K的合并PIN肖特基(MPS)結構還具備其他優勢，例如出色的浪涌電流耐受能力，從而無需額外的保護電路。這些特性可顯著降低系統復雜性，使硬件設計人員能夠在耐用型高功率應用中，以更小的外形尺寸實現更高的效率。Nexperia作為一系列高質量半導體技術產品的供應商，聲譽良好，值得設計人員信賴。

這款SiC肖特基二極管采用真2引腳(R2P) TO-220-2通孔電源塑料封裝。其他封裝選項包括表面貼裝(DPAK R2P和D²PAK R2P)和采用真2引腳配置的通孔(TO-247-2)封裝，可在高達175°C的高壓應用中增強可靠性。

Nexperia SiC產品組高級總監Katrin Feurle表示：“在當前可用的解決方案中，我們提供的高性能SiC肖特基二極管表現優異，對此我們倍感自豪。隨著人們的能源意識日漸增強，我們正致力于為市場帶來更多選擇和便利性，以滿足市場對高容量、高效率應用顯著增加的需求。”

Nexperia計劃不斷增加其SiC二極管產品組合，包括工作電壓為650 V和1200 V、電流范圍為6-20 A的和車規級器件。新款SiC二極管現可提供樣品，并于近日開始量產。

如需進一步了解Nexperia的新款650 V SiC肖特基二極管，請訪問：www.nexperia.cn/sic_diodes

關于Nexperia

Nexperia，作為半導體基礎器件領域的高產能生產專家，其產品廣泛應用于全球各類電子設計。公司豐富的產品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年可交付1000多億件產品，產品符合汽車行業的嚴苛標準。其產品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面獲得行業廣泛認可，擁有先進的小尺寸封裝技術，可有效節省功耗及空間。

憑借幾十年來的專業經驗，Nexperia持續不斷地為全球各地的優質企業提供高效的產品及服務，并在亞洲、歐洲和美國擁有超過14,000名員工。Nexperia是聞泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司，擁有龐大的知識產權組合，并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001認證。

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