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日本半導(dǎo)體材料大廠昭和電工近日宣布，其碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體的8英寸SiC外延晶圓已開(kāi)始進(jìn)行樣品出貨。昭和電工表示，和原先使用硅晶圓的功率半導(dǎo)體相比，SiC功率半導(dǎo)體的電力損耗更少、更不易發(fā)熱，來(lái)自電動(dòng)車、再生能源領(lǐng)域的需求急增。

SiC半導(dǎo)體性能優(yōu)異，其禁帶寬度是硅的3倍，擊穿電壓是硅的8-10倍，導(dǎo)熱率是硅的3-5倍，電子飽和漂移速率是硅的2-3倍。SiC能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求，是制作高溫高頻、大功率高壓器件的理想材料之一。券商人士分析指出，未來(lái)隨著大直徑襯底占比提升、襯底和外延晶片質(zhì)量提高、單晶平均可用厚度持續(xù)增加以及擴(kuò)產(chǎn)導(dǎo)致規(guī)模效應(yīng)增大，SiC產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)成本有望持續(xù)降低，并實(shí)現(xiàn)對(duì)于下游領(lǐng)域的加速滲透。

關(guān)鍵詞： 三代半導(dǎo)體