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氮化鎵(GaN)產(chǎn)品讓消費(fèi)電子、工業(yè)和汽車系統(tǒng)更高效、更緊湊

2023年8月3日，中國 -意法半導(dǎo)體宣布已開始量產(chǎn)能夠簡化高效功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)設(shè)計的增強(qiáng)模式PowerGaN HEMT(高電子遷移率晶體管)器件。STPOWER? GaN晶體管提高了墻插電源適配器、充電器、照明系統(tǒng)、工業(yè)電源、可再生能源發(fā)電、汽車電氣化等應(yīng)用的性能。

該系列先期推出的兩款產(chǎn)品SGT120R65AL 和 SGT65R65AL都是工業(yè)級650V常關(guān)G-HEMT? 晶體管，采用PowerFLAT 5x6 HV貼裝封裝，額定電流分別為15A和25A，在25°C時的典型導(dǎo)通電阻(RDS(on))分別為75mΩ和49mΩ。此外，3nC和5.4nC的總柵極電荷和低寄生電容確保晶體管具有最小的導(dǎo)通/關(guān)斷能量損耗。開爾文源極引腳可以優(yōu)化柵極驅(qū)動。除了減小電源和適配器的尺寸和重量外，兩款新GaN晶體管還能實(shí)現(xiàn)更高的能效、更低的工作溫度和更長的使用壽命。

在接下來的幾個月里，意法半導(dǎo)體將推出新款PowerGaN產(chǎn)品，即車規(guī)器件，以及更多的功率封裝形式，包括PowerFLAT 8x8 DSC和LFPAK 12x12大功率封裝。

意法半導(dǎo)體的G-HEMT器件將加速功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)向GaN寬帶隙技術(shù)過渡。GaN晶體管的擊穿電壓和導(dǎo)通電阻RDS(on)與硅基晶體管相同，而總柵極電荷和寄生電容更低，且無反向恢復(fù)電荷。這些特性提高了晶體管的能效和開關(guān)性能，可以用更小的無源器件實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率，提高功率密度。因此應(yīng)用設(shè)備可以變得更小，性能更高。未來，GaN還有望實(shí)現(xiàn)新的功率轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，進(jìn)一步提高能效，并降低功耗。

意法半導(dǎo)體PowerGaN分立器件的產(chǎn)能充足，能夠支持客戶快速量產(chǎn)需求。SGT120R65AL 和SGT65R65AL現(xiàn)已上市，采用PowerFLAT 5x6 HV封裝。

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