本周，我們的用途廣泛的InnoSwitch3-EP開關IC產品系列迎來了一批新成員，這些器件采用碳化硅(SiC)初級開關MOSFET和集成控制器。這些耐壓1700V的器件適用于工業類應用，可取代分立的控制器加MOSFET設計，節省空間、時間和成本，同時提高在新能源、工業電機驅動、電池儲能和電表等應用中的可靠性。

基于碳化硅(SiC)的InnoSwitch3-EP IC可提供高達70W的輸出功率，同時將實現電源所需的元件數量減少高達50%。新器件內部還集成同步整流和準諧振(QR)/CCM反激式控制器，可實現90%以上的效率，并使空載功耗小于15mW。

InnoSwitch3-EP產品系列器件采用超薄InSOP-24D封裝，現在有高性價比硅器件、高效率氮化鎵(GaN)器件和高壓SiC晶體管可供選擇，可幫助設計工程師在廣泛的應用中優化其功率解決方案。

InnoSwitch3-EP IC使用FluxLink反饋鏈路，可為次級側控制提供高達5000VRMS的加強絕緣。 FluxLink技術可直接檢測輸出電壓，其優勢在于可提供高精度的控制以及極其快速的動態響應特性。 其他保護功能包括輸入欠壓保護、輸出過壓保護和過流限制。

我們同步推出一份新的設計范例報告(DER-913)，展示如何使用耐壓1700V的InnoSwitch3-EP器件在35W高壓電源中實現極高的集成度。 如需了解更多信息，請下載InnoSwitch3-EP數據手冊。

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